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四款航天用抗辐射放大器ST万芳

发布时间:2020-02-14 12:41:10 阅读: 来源:切片机厂家

四款航天用抗辐射放大器(ST)

新产品包括以下四款芯片:

- RHF484:由4个RHF43B组成的4路运算放大器,可替代工业标准运算放大器芯片,采用Flat-14W封装,2011年通过QML V认证。

- RHF310和RHF330是超低功耗5V运算放大器,是各种信号调节应用的理想选择。120MHz和1.0GHz两个型号已取得QML V证书。另一款产品550 MHz RHF350预计于2011年第四季度通过认证。

意法半导体航天用模拟器件在设计方面特别关注单粒子瞬变效应,并经过了全面的特征化分析,拥有瞬间错误脉冲的振幅低,时间短的特性。

意法半导体的抗辐射模拟芯片均采用BICMOS制程,功耗极低。在法国国家宇航空研究中心(CNES)的积极支持下,这些器件通过测试后直接进入欧洲产品目录(EPPL) 。

意法半导体 QML V模拟产品主要特性

通过QMLV质量认证300 krad (Si)总离子化剂量(TID)测试

无ELDRS(增强型低剂量速率敏感性)效应

单粒子闩锁(SEL)防护能力:110 MeV/mg/cm (125 °C)

完整的单粒子瞬变特征化分析

气密封装

欧洲出口认证产品

抗辐射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的辐射源,例如,范艾伦辐射带、太阳风、太阳耀斑、银河宇宙射线。

抗辐射器件能够在这种环境条件下长时间正常运行,可靠性或使用寿命不会因为粒子(大多数是质子、电子和重离子)辐射而受到影响。在受到重离子辐射时,半导体的瞬态特性至关重要。

总离子化剂量测试用于在给定剂量速率条件下测量某一个产品抵抗质子和电子引起的离子化的抗辐射性能,测量单位为krad (Si),剂量速率分为高、低或增强三个级别。

为验证辐射对每个元器件的影响程度,意法半导体对认证产品进行了重离子抗辐射测试。每个测试过程均是从连续提高辐射能量直到发现被测器件失效为止。BICMOS模拟产品经过以下各种测试:

- 单粒子闩锁测试

- 单粒子瞬变测试

- 单粒子错误中断测试

航天工业的高可靠性要求远远高于抗辐射要求。欧洲航天器件委员会(ESCC)或美国国防后勤局(哥伦布国防物资中心的前身)等政府机构负责指定厂商的认证和产品制造及质检相关规范。

意法半导体积极参与这些机构的活动(1977年成为第一个ESCC认证企业) ,并按照这两大全球认可的质量体系研发航天用半导体技术产品。

QML V器件的质量和制程符合美国国防后勤局公布的MIL-STD-38535或MIL-STD-883军用产品标准。QML V质检包括QML V 规范明确规定的一系列可靠性和抗辐射测试。

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